Donanım

En küçük yongaya sahip NAND Flash bellek

170mm2 yonga üzerinde, 128 GB kapasiteye sahip, hücre başına 3-bit çip.

En küçük yongaya sahip NAND Flash bellek
Toshiba 19 nm neslinde en büyük kapasite ve en küçük yongaya sahip NAND Flash belleği geliştirdi ve üretti.

Toshiba, çip kapasitesi ve performansında büyük gelişmeler sağlayan NAND flash teknolojisinde bir atılım daha gerçekleştirdi. 19 nanometre neslinde Toshiba, hücre başına 3-bit'lik, 128 GB kapasiteli, diğer hücre başına 3-bit cihazlara göre, dünyanın en küçük[1] - 170 mm2'lik yongasına ve en hızlı[2] yazma hızına - 18MB/s sahip çipini geliştirdi. Çipin seri üretimine Şubat 2012 içinde başlandı ve Toshiba ile onun teknoloji ortağı SanDisk, çipin anahtar teknolojik gelişmelerini, 22 Şubat'ta San Francisco'daki International Solid State Circuits Konferansı'nda (ISSCC) açıkladı.

1332255710_images.jpg

TEE GMBH Türkiye, Balkanlar ve Ortadoğu Genel Müdürü Murat George Şahin; "Bu teknolojiyle NAND Flash'ın kaşifi olan Toshiba, yeni bir çığır açıyor" şeklinde belirtiyor.

NAND flash belek üreticileri; USB bellekler ve hafıza kartları gibi uygulamalar için, rekabetçi maliyetlerle yüksek kapasite talebine karşılık vermek zorundadır. Toshiba, inovatif teknolojilerini uygulayarak, her ikisini de başarmıştır.

Yeni hücre başına 3-bit 19 nm nesil cihaz, üç adımlı programlama algoritması ve transistörler için Air-Gap teknolojisini[3] kullanarak, bellek hücreleri arasındaki bağlantıyı %5'e kadar[4] efektif bir şekilde düşürmekte ve 18MB/s yazma hızına ulaşmaktadır. Üç aşamalı yazma teknolojisindeki ikinci aşamada, kabaca dağıtım yapılırken; üçüncü aşamada dağıtım hem sıklaştırılır hem de sınırları iyi bir şekilde tanımlanır.

Toshiba  çipin çevresindeki devre yapısını da optimize ederek, mevcut çiplerin alanına göre %20 oranında azalma[5] sağlamış ve şu ana kadar, bu kapasitedeki en küçük yonga olan 170 mm2'lik alana önemli ölçüde katkı sağlamıştır.

Toshiba ve SanDisk gelişmiş NAND flash bellek geliştirme ve üretiminde, liderliklerini korumuşlardır. Toshiba, NAND flash bellek pazarını büyütmek ve uygulama kapsamını genişletmek için, öncü süreç teknolojilerinin geliştirilmesini daha da teşvik edecektir.

[1] Şubat 2012 itibariyle

[2] Şubat 2012 itibariyle

[3] Air-Gap teknolojisi, hücreler arasında boşluk yaratarak, bağlantıları azaltır.

[4] Üç aşamalı teknolojiyi kullanmayan, 19 nm nesil, hücre başına 3-bit ürünü ile karşılaştırma

[5] Konvansiyonel devre teknolojsini kullanan, 19 nm nesil, hücre başına 3-bit ürünü ile karşılaştırma


Yorumlar
Veri politikasındaki amaçlarla sınırlı ve mevzuata uygun şekilde çerez konumlandırmaktayız. Detaylar için çerez politikamızı inceleyebilirsiniz.